電力電容器應(yīng)用在開關(guān)電源中之“浪涌電壓保護(hù)”

　　開關(guān)電源是很常見的一種應(yīng)用設(shè)備，它是頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件，容易受電壓尖峰脈沖與沖擊電流的影響。另外對于開關(guān)電源兩端的浪涌電壓的保護(hù)，電力電容器通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對開關(guān)電源器件起到了保護(hù)作用。針對于開關(guān)電源這類半導(dǎo)體器件，電力電容器以提高電壓質(zhì)量的優(yōu)勢占據(jù)了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)器件的重要地位。

　　開關(guān)電源的浪涌電壓受什么影響?

　　半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率，都會影響浪涌電壓保護(hù)電力電容器的選擇。由于這些電力電容器承受著較為難調(diào)節(jié)電壓的尖峰脈沖，因此對于這種開關(guān)電源半導(dǎo)體器件的應(yīng)用而言，薄膜電力電容器 。

　　在額定電壓值高達(dá)2000V的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導(dǎo)體器件，如IGBT，電容值可高達(dá)2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內(nèi)。

　　不能僅根據(jù)電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護(hù)電容器時(shí)，還應(yīng)考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定著電容器內(nèi)部的功率耗散。因此，應(yīng)選擇一個(gè)具有較低損耗因子的電容器作為替換。

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